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产品分类
电源IC(1)二极管(3)三极管(2)场效应管MOSFET(14)
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- 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)
- 快/超快/特快恢复二极管(1)
- 瞬态(变)抑制二极管(1)
- 贴片/片式/SMD三极管(2)
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产品信息
ON原装FDA59N30 500V大功率场效应MOSFET管
产品种类: N沟道MOSFET
封装: TO-3P
晶体管类型: 1 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 300 V
Id-连续漏极电流: 59 A
Rds On-漏源导通电阻: 56 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 77 nC
工作温度: - 55℃——+ 150℃
Pd-功率耗散: 500 W
N沟道MOSFET FDA59N30具有低栅极电荷，低漏源导通电阻，快速开关，100 ％雪崩测试和改进dv/dt能力的特点，能承受高能量脉冲雪崩和换流模式，该器件非常适用于开关模式电源和有源功率因数校正。
