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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-263-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：200 V
Id-连续直流电流：24 A
Rds上漏源导通电阻：77.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：25 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：144 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
MOSFET晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：37 S
下降时间：14.8 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：22.4 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：25.4 ns
典型起始延迟时间：13.4 ns
零件号别名：IRFS4620TRLPBF SP001568008
单位重量：4 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的门，雪崩和动态dV / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
•无铅
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
24 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
17 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
100 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
144 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.96 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery (] |
54 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJC |
Junction-to-Case @ |
––– |
1.045 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient (PCB Mount) 。 |
––– |
40 |