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ON安森美FQA11N90C N沟道MOSFET 900V 11A
型号/规格：
FQA11N90C
品牌/商标：
ON（安森美）
封装形式：
TO-3P
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
直插式
包装方式：
单件包装
功率特征：
大功率
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产品信息
ON安森美场效应管FQA11N90C 900V 11A N沟道MOSFET
产品种类: N沟道MOSFET
封装: TO-3P
晶体管类型: 1 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
工作温度: - 55℃——+ 150℃
Pd-功率耗散: 300 W
N沟道MOSFET FQA11N90C具有低栅极电荷，低导通电阻，快速开关，100％的雪崩测试和改进的dv / dt能力的特点，广泛应用于高效率开关模式电源。
