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威世VISHAY SI4488DY-T1-E3 150V N沟道MOSFET
型号/规格:
SI4488DY-T1-E3
品牌/商标:
vishay
封装形式:
SO-8
环保类别:
无铅环保型
安装方式:
贴片式
包装方式:
盒带编带包装
产品信息
威世VISHAY SI4488DY-T1-E3 150V N沟道MOSFET
产品种类: N沟道MOSFET
封装: SOP-8
晶体管类型: 1 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 0.05 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 30 nC
工作温度: - 55℃——+ 150℃
Pd-功率耗散: 3.1 W
N沟道MOSFET SI4488DY-T1-E3具有低漏源导通电阻,高正向转移导纳和低漏电流的特点,广泛应用于开关电源中。