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产品分类
电源IC(1)二极管(3)三极管(2)场效应管MOSFET(14)
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威世VISHAY P沟道MOSFET SI4455DY-T1-E3
型号/规格：
SI4455DY-T1-E3
品牌/商标：
vishay
封装形式：
SO-8
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
直插式
包装方式：
单件包装
产品信息
威世VISHAY P沟道MOSFET SI4455DY-T1-E3 -150V
产品种类: P沟道MOSFET
封装: SOP-8
晶体管类型: 1 P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: -150 V
Id-连续漏极电流: -8.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 0.295 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 23.2 nC
工作温度: - 55℃——+ 150℃
Pd-功率耗散: 5.9 W
P沟道MOSFET SI4455DY-T1-E3具有低漏源导通电阻和低漏电流的特点，广泛应用于DC/DC电源和开关照明应用中。
