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产品信息
ON原装FQA90N15 150V 90A N沟道功率MOSFET晶体管
产品种类: N沟道MOSFET
封装: TO-3P
晶体管类型: 1 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
通道模式: 增强型
工作温度: - 55℃——+ 175℃
Pd-功率耗散: 375 W
N沟道MOSFET FQA90N15具有低栅极电荷,低漏源导通电阻,快速开关的特点,并能承受高能量脉冲雪崩和换流模式,非常适用于低电压应用,如音频,直流/直流转换器,直流电动机控制,不间断电源。